Презентация. Силовые биполярные и полевые транзисторы
Презентация. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Тиристоры
Презентация. Параметры и характеристики силовых полупроводниковых приборов
Презентация. Области безопасной работы силовых полупроводниковых ключей.
Материал для самостоятельной проработки: Предельные характеристики полупроводниковых ключей. Тепловая модель полупроводникового ключа.
2020
К лабораторной работе 1
|
Параметры цепи |
Вариант |
E, В |
R, Ом |
С, мкФ |
L, мкГн |
tвкл, мкс |
tвыкл, мкс |
|
ЕФИМОВ АНДРЕЙ ЮРЬЕВИЧ |
1 |
10 |
5 |
20 |
100 |
10 |
10 |
|
МИХЕЕВА МАРИЯ ВЛАДИМИРОВНА |
2 |
10 |
5 |
40 |
200 |
15 |
10 |
|
НИКИТИН АЛЕКСЕЙ АНДРЕЕВИЧ |
3 |
10 |
5 |
50 |
300 |
20 |
10 |
|
ПЕТРОВ КОНСТАНТИН ИГОРЕВИЧ |
4 |
10 |
5 |
20 |
400 |
15 |
20 |
|
СЕМЕНОВ ИГОРЬ ВЛАДИМИРОВИЧ |
5 |
10 |
5 |
40 |
500 |
10 |
20 |
|
СТЕПАНОВ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ |
6 |
10 |
5 |
50 |
400 |
5 |
20 |
|
ТИМОФЕЕВ АНАТОЛИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ |
7 |
10 |
5 |
20 |
300 |
15 |
10 |
1. Построить переходные процессы в ключе. Строить на одном графике в разных масштабах.
2. Построить кривую мгновенной мощности.
3. Построить динамические ВАХ ключа на интервалах включения и выключения.
18.03.2020
Лекция Силовые транзисторы с изолированным затвором
Лекцию проработать и законспектировать.
Лабораторная работа 2
Подготовка докладов:
Технология CoolMOS изготовления МДП-транзисторов. Привести описание технологии, ее преимущества, примеры транзисторов, выполненных по этой технологии. Михеева М.В.
Карбид-кремниевые МДП-транзисторы SIC. Пояснить сущность технологии изготовления транзисторов, ее достоинства, примеры SIC-транзисторов и их сравнение с традиционными транзисторами. Никитин А.А.
Современные структуры IGBT-транзисторов, их достоинства и недостатки. Петров К.И.
Доклады оформить в виде текста с рисунками, а также в виде презентации. В тексте обязательно указать ссылку на литературу. По готовности выслать мне на обсуждение. Срок сдачи - 27 марта (желательно мне выслать раньше).
26.03.2020
Лекция Характеристики и параметры силовых ключей.
Лекцию проработать и законспектировать.
Материал докладов:
Карбид-кремниевые МДП-транзисторы SIC.
Современные структуры IGBT-транзисторов, их достоинства и недостатки.
Технология CoolMOS изготовления МДП-транзисторов.
10.04.2020
Лекция. Предельные характеристики силовых полупроводниковых ключей.
Лекцию проработать и законспектировать. Практическое занятие будет по ней.
17.04.2020
Практическое занятие. Расчет тепловых характеристик полупроводниковых приборов. Работу, оформленную в MicrosoftWord, сдать до 23.04.2020.
Лабораторные работы 3-4 Лабораторную работу по изучению характеристик биполярного транзистора, оформленную в MicrosoftWord, сдать до 30.04.2020. Варианты соответствуют лабораторной работе 1.
24.04.2020
Лекция. Формирователи управляющих импульсов полупроводниковыми ключами.
Рассматриваемые вопросы:
1. Основные типы формирователей импульсов управления.
2. Формирователи импульсов с совместной передачей энергии и формы управляющих импульсов.
3. Формирователи импульсов с раздельной передачей энергии и формы управляющих импульсов.
Лекцию законспектировать.
08.05.2020
Лекция. Защитные цепи полупроводниковых силовых ключей.
Рассматриваемые вопросы:
1. Цепи формирования траектории рабочей точки транзисторов.
2. Защита полупроводниковых силовых ключей от режимов короткого замыкания.
3. Полупроводниковые силовые ключи с интегрированной системой защиты.
Законспектировать основные схемы защиты силовых полупроводниковых ключей.
15.05.2020
Практическое занятие. Драйверы управления силовыми транзисторами: принципы построения и особенности подключения.
Рассматриваемые вопросы:
1. Структурные схемы драйверов.
2. Требования, предъявляемые к быстродействующим драйверам силовых биполярных транзисторов и транзисторов с изолированным затвором.
3. Подключение драйверов к входным цепям силовых транзисторов.
4. Принципы построения источников питания драйверов.
Дополнительный материал. Изолированные источники питания драйверов.
Лабораторные работы 3-4 Лабораторную работу, выполненную в полном объеме и оформленную в MicrosoftWord, сдать до 28.05.2020. Варианты соответствуют лабораторной работе 1.
22.05.2020
Практическое занятие. Схемы интегральных драйверов.
Рассматриваемые вопросы:
1. Быстродействующие драйверы управления MOSFET.
2. Одноканальный драйвер с защитой по току управляемого ключа.
3. Драйвер IGBT с расширенными функциональными возможностями.
4. Драйверы для управления стойкой транзисторов.
Материал занятия основывается на монографии В.И. Мелешина Транзисторная преобразовательная техника. - М.: Техносфера. 2005 - 632 с.
Дополнительный материал.
Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней IR2110 и примеры его использования.
Драйверы компании International Rectifier
Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов компании International Rectifier
Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов компании STM
Характеристики и особенности применения драйверов MOSFET и IGBT
29.05.2020
Практическое занятие. Типовые схемы транзисторных ключей.
Рассматриваемые вопросы:
1. Ключи на биполярном транзисторе, МДП-транзисторе, IGBT-транзисторе и их динамические характеристики.
Лабораторная работа 5. Управление полумостом с использованием интегрального драйвера.
05.06.2020
Практическое занятие. Применение мощных МДП-транзисторов в импульсных источниках питания.
Рассматриваемые вопросы:
1. Преимущества применения мощных МДП-транзисторов в импульсных преобразователях.
2. Применение МДП-транзисторов в однотактных импульсных преобразователях постоянного напряжения.
3. Применение МДП-транзисторов в двухтактных импульсных преобразователях постоянного напряжения.
4. Применение МДП-транзисторов в схемах синхронных выпрямителей.
Лабораторная работа 5. Управление полумостом с использованием интегрального драйвера.
2024
К лабораторной работе 1
|
Параметры цепи |
Вариант |
E, В |
R, Ом |
С, мкФ |
L, мкГн |
tвкл, мкс |
tвыкл, мкс |
|
Гусарова Анна Евгеньевна |
1 |
10 |
5 |
20 |
100 |
10 |
10 |
|
Ефремова Марина Олеговна |
2 |
10 |
5 |
40 |
200 |
15 |
10 |
|
Игнатьев Вадим Александрович |
3 |
10 |
5 |
50 |
300 |
20 |
10 |
1. Построить переходные процессы в ключе. Строить на одном графике в разных масштабах.
2. Построить кривую мгновенной мощности.
3. Построить динамические ВАХ ключа на интервалах включения и выключения.
Материал для самостоятельной работы 1
30.10.2024
Характеристики и параметры полупроводниковых ключей + Презентация
Предельные характеристики полупроводниковых ключей
Лабораторная работа 2
Гусарова А.Е. - вариант 1
Ефремова М.О. - вариант 10
13.11.2024
Тепловые характеристики силовых полупроводниковых ключей
Формирователи импульсов управления
Драйверы силовых транзисторов
Лабораторные работы 3-4
Гусарова А.Е. - вариант 1
Ефремова М.О. - вариант 10
11.12.2024
Защитные цепи силовых полупроводниковых ключей.
Вопросы к экзамену.
Билет будет содержать 2 вопроса. Можно воспользоваться сделанными в домашних условиях рисунками.